پیشرفت چشمگیر سامسونگ و سیناپسیس در تولید چیپست موبایل 3 نانومتری
ديجياتو/ همکاري سامسونگ و «سيناپسيس» در زمينه توسعه تکنولوژي 3 نانومتري براي توليد چيپست گوشيهاي موبايل به ثمربخشي نزديکتر ميشود. اين موضوع را مدير و بنيانگذار سيناپسيس Aart de Geus در سفر اخيرش به کره جنوبي و در گفتگو با رسانههاي محلي اعلام کرد. او همچنين اعلام کرد که ابزارهاي اتوماسيون طراحي الکترونيکي (EDA) اين شرکت طي دو يا سه سال آينده آماده توليد انبوه چيپ با تکنولوژي 3 نانومتري سامسونگ خواهد بود. البته اين به معني آمادگي سامسونگ براي تجاري سازي تکنولوژي جديدش در دو سه سال آينده نيست چرا که به گفته de Geus زمانبندي و توليد انبوه در مقياس کامل آن به آمادگي خود سامسونگ بستگي خواهد داشت. سامسونگ کيت طراحي سه نانومتري MBCFET يا Multi-Bridge-Channel FET خود را چند ماه پيش به صورت رسمي معرفي کرد. اين تکنولوژي با بهره گيري از تکنيک Gate-All-Around يا همان GAA براي غلبه بر محدوديتهاي کارايي و فيزيکي معماري FinFET در دست توسعه است. اين فناوري علاوه بر اينکه سايز چيپ را 45 درصد کاهش ميدهد، 50 درصد انرژي کمتري مصرف کرده و در نتيجه کارايي را به اندازه 35 درصد افزايش ميدهد. علاوه بر اين بر اساس گفتههاي مدير سيناپسيس با آماده بودن تحهيزات EDA اين شرکت براي توليد تکنولوژي جديد سامسونگ، به نظر نميرسد شرکت کرهاي به مشکلي در زمان تجاري سازي تکنولوژي جديدش بربخورد. چيپهاي توليد شده با فناوري 3 نانومتري در صنايعي مثل موبايل، شبکه، خودرو، هوش مصنوعي و IoT کاربرد خواهد داشت. بر اساس گفتههاي de Geus، هوش مصنوعي هم در آينده صنعت نيمه هادي نقش بسيار مهمي ايفا خواهد کرد و به اين وسيله حتي کمپانيهاي کوچک، بدون در اختيار داشتن خطوط ساخت و توليد ادوات نيمه هادي ميتوانند بازار را به چالش بکشند. در حال حاضر سامسونگ قصد دارد پرچمدار جديدش يعني گلکسي نوت 10 را با چيپست 7 نانومتري عرضه کند و اين تکنولوژي با پردازنده اگزينوس 9825 به بازار خواهد آمد.