حافظه MRam جایگرین DRam

برسام/ به نقل از ICTPRESS، حدود ۲۰ شرکت و مرکز تحقيقاتي مرتبط با ساخت حافظه مشغول کار روي اين پروژه هستند که هدف آن توسعه نسل جديدي از حافظه‌ها با عنوان magnetoresistive random access memory يا MRAM هستند. در ميان اين گروه شرکت‌هايي چون Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi و غول آمريکايي Micron Technology ديده مي‌شوند. اين شرکت‌ها از فوريه سال آينده نتايج تحقيقاتي خود را به همراه محققان خود در دانشگاه Tohoku در شمال ژاپن با يکديگر در ميان مي‌گذارند. در حافظه‌هاي MRAM ديتا به صورت مغناطيسي ذخيره مي‌شود و اين جايگزين حافظه‌هاي امروزي ( DRAM يا Dynamic random-access memory ) است که ديتا را به صورت الکتريکي و به شکل تصادفي در يک خازن جداگانه ذخيره مي‌کند. حافظه‌هاي جديد مصرف انرژي را به يک سوم تقليل مي‌دهند و ظرفيت و سرعت آن‌ها ده برابر حافظه‌هاي DRAM است. البته همه اينها فعلا به صورت تئوري است ولي در صورت عملي شدن قطعا تحول قابل توجهي در حافظه‌ّاي مورد نياز تبلت‌ها و موبايل‌ها خواهند بود. گفته مي‌شود تجاري سازي اين حافظه‌ها در حدود سال ۲۰۱۸ صورت خواهد گرفت. البته شرکت Everspin Technologyis هم اکنون گونه‌اي از حافظه‌هاي MRAM را توليد مي‌کند.