جزئیات تراشه ۳ نانومتری TSMC رسما اعلام شد

ترنجي/ توليدکننده هاي چيپست خيلي معدود هستند. توسعه اين بازار هم خيلي به پيشرو بودن آن ها بستگي دارد. کمپاني تايواني TSMC يکي از پيشروترين هاي بازار است و براي شرکت هاي زيادي از جمله اپل و هواوي سفارشاتي را توليد مي کند. در حال حاضر پيشرفته ترين معماري توليد چيپست در مقياس انبوه، معماري ۷ نانومتري پلاس است. انتظار داريم امسال چيپست هاي ۵ نانومتري اپل A14 يا کايرين ۱۰۲۰ ارايه شوند و اصلا بعيد نيست که نمونه اي بر اين مبنا از کوالکام و سامسونگ هم ارايه شود. با اين حال اما جزئيات تراشه ۳ نانومتري TSMC رسما اعلام شده است که نسل بعديِ نسل معرفي نشده (!) است. در اين معماري شاهد ۲۵۰ ميليون ترانزيستور در ۱ ميلي متر مربع خواهيم بود. به تازگي TSMC رسما جزئيات آخرين روند ۳ نانومتري خود را اعلام کرد. تراکم ترانزيستور آن رکورد جديدي با ۲۵۰ ميليون ترانزيستور در ميلي متر مربع ايجاد مي کند. براي مقايسه مثلا چيپست Kirin 990 5G با فرآيند EUV 7nm ساخت TSMC داراي ابعاد ۱۱۳.۳۱ ميلي متر مربع بوده که با ۱۰.۳ ميليارد ترانزيستور، به طور متوسط ۹۰ ميليون ترانزيستور در ميلي متر مربع را داراست. با اين حال چگالي ترانزيستور فرآيند 3nm حدود ۳.۶ برابر فرآيند 7nm است. اين تراکم از نظر بصري با کاهش پردازنده پنتيوم 4 به اندازه سوزن مقايسه مي شود. از نظر بهبود عملکرد، عملکرد 5nm TSMC حدودا 10٪ – 15٪ بالاتر از 7nm بوده، و مصرف انرژي 25٪ – 30٪ کاهش مي يابد. با اين حال، عملکرد 3 نانومتر 5٪ بالاتر از 5nm و مصرف انرژي 15٪ افزايش يافته است. از نظر چگالي، TSMC مي گويد فرآيند ۳ نانومتري پيشرفت چگالي 1.7 برابري نسبت به فرآيند 5nm دارد. طبق گفته يک منبع معتبر فرآيند ۳ نانومتر بايد چگالي سطح سلول را تقريبا زير 300 ميليون ترانزيستور در هر ميلي متر مربع ارائه دهد. علاوه بر اين TSMC گفت که روند توسعه 3nm مطابق با برنامه اصلي آن است. طبق گفته مدير عامل TSMC آقاي CC Wei توليد آزمايش در سال 2021 آغاز خواهد شد. توليد انبوه در نيمه دوم سال 2022 آغاز خواهد شد. از نظر فن آوري شرکت TSMC گزينه هاي مختلفي را ارزيابي مي کند و معتقد است که روند فعلي FinFET از نظر هزينه و بهره وري انرژي بهتر است. بنابراين، اولين مجموعه تراشه هاي ۳ نانومتري هنوز از فناوري ترانزيستور FinFET استفاده مي کنند. با اين حال، سامسونگ، رقيب قديمي TSMC، روي گره 3 نانومتري شرط بندي مي کند. بنابراين پيشرفت و انتخاب فناوري آن بسيار بنيادي است. اين ترانزيستورهاي FinFET را از بين مي برد و مستقيماً از GAA براي اطراف ترانزيستورها استفاده مي کند. نظر شما چيست؟ منتظر چيپست هاي ۳ نانومتري هستيد؟ در کانال آي‌تي و ™CanaleIT هم کلي عکس و ويدئوي دسته اول و جذاب داريم