اینتل و آرم با هدف توسعه تراشههای موبایل با یکدیگر همکاری میکنند
![اینتل و آرم با هدف توسعه تراشههای موبایل با یکدیگر همکاری میکنند](https://app.akharinkhabar.ir/images/2023/04/14/047fbd1a-0b17-4c63-9087-1c4990364bdb.png)
دیجیاتو/ همکاری اینتل و آرم به ساخت و توسعه تراشههای مبتنی بر فناوری ساخت ۱.۸ نانومتری با مصرف کمتر و قدرت بیشتر کمک میکند.
اینتل و آرم دو غول صنعت تراشه در جهان به شمار میروند که یکی از آنها در ساخت پردازندههای دسکتاپ، تبحر دارد و دیگری روی طراحی معماری تراشههای موبایل و کممصرف تمرکز کرده است. اکنون این دو شرکت اعلام کردهاند که جهت توسعه تراشههای موبایل و به اشتراکگذاری فناوریها با یکدیگر همکاری خواهند کرد.
نتیجه همکاری اینتل و آرم چیست؟
همکاری اینتل و آرم میتواند به تولید تراشههای کممصرف مبتنی بر فناوری ساخت 18A منتهی شود. این همکاری در مرحله اول روی طراحی تراشههای موبایل براساس معماری هستههای پردازشی ARM تمرکز دارد و در ادامه به محصولات مرتبط با صنایع مختلف دیگر مثل خودرو، اینترنت چیزها، پایگاههای داده، هوافضا ختم میشود.
طبق بیانیه رسمی منتشر شده توسط هر دو شرکت، مشتریان ARM تاکنون تراشههای خود را حول معماری هستههای پردازشی کورتکس طراحی میکردهاند و اکنون قادر خواهند بود تا از فناوریهای نوین اینتل در زمینه ترانزیستورها برای بهبود مصرف انرژی و عملکرد استفاده نمایند. مدیرعامل اینتل در رابطه با همین موضوع اشاره داشته است که چنین توافقی، به سایر شرکتها امکان دستیابی به نسل بعدی فناوری پردازشی را خواهد داد.
توافق اخیر قسمتی از استراتژی IDM 2.0 به شمار میرود که طبق آن، اینتل سرمایهگذاری عظیمی روی صنایع ساخت پردازنده در سراسر جهان انجام خواهد داد که تمرکز ویژهای روی ایالات متحده و کشورهای اتحادیه اروپا دارد. این رخداد میتواند تعادل را در زنجیره تامین تراشه در دنیا برقرار سازد و مشکل فعلی کمبود تراشه به دلیل افزایش تقاضا توسط صنایع مختلف را برطرف سازد.
فرآیند ساخت پردازنده 18A اینتل در واقع یک فناوری تولید ۱.۸ نانومتری ترانزیستور است و واژه A در نام آن به واحد آنگستروم اشاره دارد. هر آنگستروم برابر با ۱ به توان ۱۰- متر است؛ در نتیجه ۱۸ آنگستروم معادل ۱.۸ نانومتر (هر نانومتر ۱ به توان ۹- متر) خواهد بود. مهاجرت به سمت چنین فناوری میتواند نویدبخش تراشههای کوچکتر در آینده نزدیک با مصرف انرژی بسیار پایینتر نسبت به نمونههای کنونی یا قدرت پردازشی بیشتر با توان مصرفی برابر باشد و چگالی ترانزیستورها را در واحد سطح افزایش خواهد داد.